IXFR64N50Q3
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
60
50
V GS = 10V
9V
140
120
V GS = 10V
9V
40
8V
100
80
30
60
20
7V
40
8V
10
0
6V
20
0
7V
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
5
10
15
20
25
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value vs.
Junction Temperature
60
50
40
V GS = 10V
8V
3.0
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 64A
30
7V
1.8
I D = 32A
1.4
20
1.0
6V
10
0
5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 32A Value vs.
Drain Current
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
V GS = 10V
2.6
2.2
1.8
T J = 125oC
T J = 25oC
40
30
20
1.4
10
1.0
0.6
0
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFR64N60P MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
IXFR64N60Q3 MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
IXFR66N50Q2 MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXFR70N15 MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
IXFR80N15Q MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
IXFR80N20Q MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
IXFR80N50P MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
IXFR80N50Q3 MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXFR64N60P 功能描述:MOSFET DIODE Id36 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR64N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR66N50Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR70N15 功能描述:MOSFET 67 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR75N10Q 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR80N10Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR80N15Q 功能描述:MOSFET 75 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR80N20Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube